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[发明专利]覆有密封层的半导体元件、其制造方法及半导体装置-CN201310272150.3在审
发明人：江部悠纪;片山博之;木村龙一;大西秀典;福家一浩 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2013-07-01 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： H01L33/54 文献下载
摘要：本发明提供一种覆有密封层的半导体元件、其制造方法及半导体装置，该制造方法具有：准备工序，准备具有硬质的支承板的支承片；半导体元件配置工序，将半导体元件配置于支承片的厚度方向一侧；层配置工序，在半导体元件配置工序之后，将由含有固化性树脂的密封树脂组合物形成的密封层以覆盖半导体元件的方式配置于支承片的厚度方向一侧；密封工序，使密封层固化，利用挠性的密封层密封半导体元件；切断工序，在密封工序之后，与半导体元件相对应的将挠性的密封层切断，从而获得具有半导体元件和覆盖半导体元件的密封层的覆有密封层的半导体元件；以及半导体元件剥离工序，在切断工序之后，将覆有密封层的半导体元件从支承片剥离下来。
密封半导体元件制造方法装置

[发明专利]半导体器件及形成嵌入式晶片级芯片规模封装的方法-CN201410858205.3有效
发明人：林耀剑;P·C·马里穆图;沈一权;韩丙濬 -专利权人：新科金朋有限公司
申请日： 2014-10-31 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：半导体器件及形成嵌入式晶片级芯片规模封装的方法。半导体器件包括半导体管芯和沉积在半导体管芯上方和周围的密封剂。半导体晶片包括多个半导体管芯和基体半导体材料。凹槽被形成在基体半导体材料中。半导体晶片被穿过凹槽分割以分离半导体管芯。半导体管芯被设置在载体上方，半导体管芯之间具有500微米(μm)或更小的距离。密封剂覆盖半导体管芯的侧壁。扇入互连结构被形成在半导体管芯上方，同时密封剂保持不具有扇入互连结构。从半导体管芯的非有源表面移除密封剂的一部分。器件被穿过密封剂分割，同时留下设置为覆盖半导体管芯的侧壁的密封剂。覆盖侧壁的密封剂包括50μm或更小的厚度。
半导体器件形成嵌入式晶片芯片规模封装方法

[发明专利]半导体密封用环氧树脂粒状体及其制造方法、半导体装置及其制造方法-CN201610197364.2在审
发明人：伊藤祐辅;渡部格;林博之;齐藤毅;东野成哉;水野恭宏;住吉孝文 -专利权人：住友电木株式会社
申请日： 2016-03-31 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： B29B9/06 文献下载
摘要：根据本发明，提供半导体密封用环氧树脂粒状体的制造方法、半导体密封用环氧树脂粒状体、半导体装置的制造方法和半导体装置。本发明的半导体密封用环氧树脂粒状体的制造方法为在利用压缩成形将半导体元件密封而成的半导体装置中使用的半导体密封用环氧树脂粒状体的制造方法，其包括：准备半导体密封用环氧树脂组合物的工序；将半导体密封用环氧树脂组合物设置在挤出成形机中的工序；和利用热切割法将从挤出成形机中挤出的由半导体密封用环氧树脂组合物构成的树脂块的前端部切断而得到半导体密封用环氧树脂粒状体的工序，半导体密封用环氧树脂组合物的使用高化式流动试验仪测得的175℃的熔融粘度为
半导体密封环氧树脂粒状及其制造方法装置

[发明专利]半导体装置的制造方法以及制造装置-CN201480006560.6在审
发明人：松下孝夫;森伸一郎 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2014-01-22 - 公布日： 2015-09-30 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明提供半导体装置的制造方法以及制造装置，该方法是通过利用密封片来密封半导体元件而得到的半导体装置的制造方法。半导体装置的制造方法具备：准备密封片以及多个半导体元件的准备工序；在准备工序之后，利用密封片将多个半导体元件一并密封的密封工序；以及在密封工序之后，回收密封片以及多个半导体元件的回收工序。
半导体装置制造方法以及

[发明专利]半导体封装器件及其制造方法-CN202280004800.3在审
发明人：许二岗;曹凯;张雷 -专利权人：英诺赛科（苏州）半导体有限公司
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：半导体器件包括第一半导体芯片、第二半导体芯片和密封剂。第一半导体芯片包括第一晶体管。第二半导体芯片设置在第一半导体芯片上方并包括第二晶体管。密封剂封装第一半导体芯片。第一半导体芯片完全嵌入密封剂中，第一半导体芯片的有源表面和背表面被密封剂所覆盖。第二半导体芯片具有有源表面和背表面。第二半导体芯片的有源表面未被密封剂所覆盖。第二半导体芯片的背表面未被密封剂所覆盖且朝向所述第一半导体芯片的有源表面。
半导体封装器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件以及使用标准化载体形成嵌入式晶片级芯片尺寸封装的方法-CN201310671468.9有效
发明人：韩丙濬;沈一权;林耀剑;P.C.马里穆图 -专利权人：新科金朋有限公司
申请日： 2013-12-11 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件以及使用标准化载体形成嵌入式晶片级芯片尺寸封装的方法。一种半导体器件包括标准化载体。半导体晶片包括多个半导体管芯和基底半导体材料。通过基底半导体材料的第一部分单切半导体晶片以分离半导体管芯。将半导体管芯设置在标准化载体上。标准化载体的尺寸与半导体管芯的尺寸无关。将密封剂沉积在标准化载体上且在半导体管芯周围。在半导体管芯上形成互连结构，同时使得密封剂没有互连结构。通过密封剂单切半导体器件。密封剂保持设置在半导体管芯的侧面上。可替换地，通过基底半导体的第二部分且通过密封剂来单切半导体器件以从半导体管芯的侧面去除基底半导体的第二部分和密封剂。
半导体器件以及使用标准化载体形成嵌入式晶片芯片尺寸封装方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201010254717.0有效
发明人：岩崎富生 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2010-08-11 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置及其制造方法，是在具有半导体基片、与该半导体基片电连接的以金属作为主构成材料的多根引线、把该半导体基片密封的密封体的半导体装置中，提供一种上述引线与密封体(模制密封体)的粘合性提高，不产生剥离的半导体装置。在具有半导体基片(5)、与该半导体基片电连接的以金属作为主构成材料的多根引线(3)、把该半导体基片密封的密封体(2)的半导体装置中，为了提高上述引线(3)与密封体(模制密封体)的粘合性，作为引线(3)的表面材料与密封体(2)的组合，采用晶格整合性良好的材料组合，采用并苯类作为主构成材料的密封体(2)。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法和半导体装置-CN201510641550.6有效
发明人：森弘就;渡部格;西谷佳典 -专利权人：住友电木株式会社
申请日： 2015-09-30 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明提供半导体装置的制造方法和半导体装置。半导体装置的制造方法包括：准备构造体的工序，该构造体具备粘附部件和粘贴在粘附部件的粘附面的半导体晶片，半导体晶片的电路形成面粘贴在粘附部件的粘附面；在半导体晶片的电路形成面粘贴有粘附部件的状态下，沿着半导体晶片的切割区域，在半导体晶片的电路形成面的相反侧的面形成多个规定宽度的切槽的工序；使处于流动状态的半导体密封用树脂组合物与半导体晶片接触，将半导体密封用树脂组合物填充到切槽内，并且利用半导体密封用树脂组合物将半导体晶片的电路形成面的相反侧的面覆盖密封的工序；和使半导体密封用树脂组合物固化的工序。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体封装及其制造方法-CN201280064618.3在审
发明人：朴润默;田炳栗 -专利权人： NEPES株式会社
申请日： 2012-12-28 - 公布日： 2014-09-03 - 主分类号： H01L23/28 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体封装，其具有通过密封结构将半导体芯片嵌入于半导体芯片，在所述嵌入的半导体芯片的下侧设置外侧连接部件的扇出结构。本发明一实施例的半导体封装包括：嵌入重新布线图案层；上侧半导体芯片，位于所述嵌入重新布线图案层的上侧；上层密封部件，密封所述上侧半导体芯片；下侧半导体芯片，位于所述嵌入重新布线图案层的下侧；以及下侧密封部件，密封成不露出所述下侧半导体芯片。
半导体封装及其制造方法

[发明专利]半导体封装件-CN201910571456.6有效
发明人：林俊成;卢思维 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：提供了半导体封装件。半导体封装件中的一个包括半导体管芯、导热图案、密封剂和导热层。导热图案设置在半导体管芯旁边。密封剂密封半导体管芯和导热图案。导热层覆盖半导体管芯的后表面，其中，导热图案通过导热层热耦合至半导体管芯并且与半导体管芯电绝缘。
半导体封装

[发明专利]半导体装置的制造方法和半导体装置-CN201580046732.7有效
发明人：森弘就 -专利权人：住友电木株式会社
申请日： 2015-08-20 - 公布日： 2019-09-20 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置的制造方法，该半导体装置的制造方法包括：准备工序，准备主面形成有电路的半导体晶片；贴附工序，将半导体晶片贴附于粘接层；第一分割工序，通过沿切割区域对贴附于粘接层的状态的半导体晶片进行分割，而获得多个半导体芯片；密封工序，在将多个半导体芯片的主面贴附于粘接层的状态下，将多个半导体芯片一起密封，由此在半导体芯片的侧面之间的间隙和半导体芯片的背面上形成包含半导体密封树脂组合物的密封材料层；和第二分割工序，通过对形成在半导体芯片的侧面之间的间隙的密封材料层进行分割，而获得在侧面和背面形成有密封材料层的多个上述半导体芯片。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体器件和用于制造半导体器件的方法-CN201010193932.4无效
发明人：木村雄大;栗田洋一郎 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2010-05-31 - 公布日： 2011-01-05 - 主分类号： H01L23/24 文献下载
摘要：本发明提供了半导体器件和用于制造半导体器件的方法。半导体器件包括布线层；半导体芯片，该半导体芯片被布置在布线层上，其间具有间隙，通过连接部将半导体芯片电气地连接至布线层；第一密封体，该第一密封体被填充在布线层和半导体芯片之间的空间中；以及第二密封体，该第二密封体覆盖半导体芯片第一密封体和第二密封体包括相同的有机树脂，有机树脂包括无机填料。第二密封体具有比第一密封体更大含量的无机填料。
半导体器件用于制造方法

[发明专利]光半导体密封用树脂组合物和树脂成型物、光半导体密封材料和光半导体装置-CN202210294453.4在审
发明人：内藤龙介;山根实;松尾晓;萩原拓人;大田真也 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： C08L63/02 文献下载
摘要：本发明涉及光半导体密封用树脂组合物和树脂成型物、光半导体密封材料和光半导体装置。本发明提供保存稳定性优异的光半导体密封用树脂组合物、以及使用了该光半导体密封用树脂组合物的光半导体密封用树脂成型物、光半导体密封材料和光半导体装置。一种光半导体密封用树脂组合物，其中，所述光半导体密封用树脂组合物包含环氧树脂、酸酐类固化剂、酚类固化剂以及吸收可见光的染料和/或颜料，并且在制成固化物(尺寸：直径50mm×厚度1mm的圆柱状)时，波长650nm
半导体密封树脂组合成型密封材料装置

[发明专利]半导体激光装置、半导体激光装置的制造方法和光学装置-CN201110134781.X无效
发明人：林伸彦;吉川秀樹;藏本慶一;野村康彦;後藤壮謙;岡山芳央;德永誠一 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2011-05-16 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： H01S5/022 文献下载
摘要：本发明提供半导体激光装置、半导体激光装置的制造方法和光学装置。该半导体激光装置具有半导体激光元件和将半导体激光元件密封的封装体。封装体具有用于安装半导体激光元件的基部、密封用部件和窗用部件。半导体激光元件由基部、密封用部件和窗用部件密封。基部、密封用部件和窗用部件中的至少二个部件相互通过由乙烯-聚乙烯醇共聚物构成的密封剂接合。
半导体激光装置制造方法光学

[发明专利]半导体装置-CN201910392609.0有效
发明人：川岛崇功 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2019-05-13 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，具备第一半导体模块和第二半导体模块。第一半导体元件具有第一半导体元件、将第一半导体元件密封的第一密封体及在第一密封体的内部连接于第一半导体元件并且向第一密封体的外部延伸的第一电力端子及第二电力端子。第二半导体模块具有第二半导体元件、将第二半导体元件密封的第二密封体及在第二密封体的内部连接于第二半导体元件并且向第二密封体的外部延伸的第三电力端子及第四电力端子。在第一密封体及第二密封体的外部，第一电力端子和第四电力端子以互相对向的状态延伸，第二电力端子和第三电力端子以互相对向的状态延伸。
半导体装置

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